Navigation

TSMC: meer details gedeeld over N2 - implicaties

TSMC: meer details gedeeld over N2 - implicaties

TSMC $TSM, waar we op een up zitten, heeft tijdens de IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) 2024 meer details gedeeld over zijn geavanceerde 2nm-productieproces, genaamd N2. Dit alles positioneert N2 als een toonaangevende technologie voor de toekomst van halfgeleiders.

Dit nieuwe proces belooft een vermogensreductie van 24 tot 35% of een prestatieverbetering van 15% bij dezelfde spanning. Daarnaast biedt het een 1,15 keer hogere transistor dichtheid in vergelijking met het 3nm-proces.

Deze verbeteringen worden mogelijk gemaakt door TSMC's nieuwe gate-all-around (GAA) nanosheet-transistors en de N2 NanoFlex-designtechnologie.

De GAA nanosheet-transistors geven ontwerpers de flexibiliteit om kanaalbreedtes aan te passen voor een optimale balans tussen prestaties en energie-efficiëntie. N2 introduceert ook de N2 NanoFlex DTCO-technologie, waarmee compacte cellen voor energie-efficiëntie of hogere cellen voor maximale prestaties kunnen worden ontworpen. Bovendien biedt N2 zes spanningsdrempelniveaus, bereikt door een geavanceerde integratie van dipolen.

Deze innovaties verbeteren niet alleen de prestaties van transistors door middel van geavanceerde engineering, zoals het verfijnen van blad-diktes en het verminderen van capaciteit, maar ook de energie-efficiëntie.

De snelheidstoename bedraagt 70% en 110% voor respectievelijk N-type en P-type nanosheet-transistors. Bij lage spanningen (0,5-0,6V) biedt N2 een 20% hogere klokfrequentie en een standby-vermindering van 75%.

N2 verbetert ook de schaalbaarheid van SRAM, met een recorddichtheid van 38Mb/mm². Dankzij de verbeterde spanningsvariaties kunnen SRAM-functies betrouwbaar werken bij spanningen tot 0,4V.

Daarnaast introduceert N2 nieuwe bedradingstechnologieën die de weerstand verminderen en procescomplexiteit verlagen, wat de prestaties en efficiëntie verder verhoogt.

Voor High-Performance Computing (HPC) toepassingen biedt N2 extra functies, zoals superkrachtige MiM-condensatoren, die hogere maximale werkfrequenties mogelijk maken door spanningsvariaties te verminderen.

TSMC shares deep-dive details about its cutting edge 2nm process node at IEDM 2024 — 35 percent less power or 15 percent more performance
All the secrets revealed?

Disclaimer Aan de door ons opgestelde informatie kan op geen enkele wijze rechten worden ontleend. Alle door ons verstrekte informatie en analyses zijn geheel vrijblijvend. Alle consequenties van het op welke wijze dan ook toepassen van de informatie blijven volledig voor uw eigen rekening.

Wij aanvaarden geen aansprakelijkheid voor de mogelijke gevolgen of schade die zouden kunnen voortvloeien uit het gebruik van de door ons gepubliceerde informatie. U bent zelf eindverantwoordelijk voor de beslissingen die u neemt met betrekking tot uw beleggingen.

Zie kansen op het juiste moment

Maak meer kans op winst, dankzij actuele informatie, onafhankelijk commentaar en door het volgen van doelen.